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国信证券发布长沙银行研报，2025年报暨2026年一季报点评：资产质量夯实，静待价值重估_蜘蛛资讯网

p;    4 月 24 日消息，3D 存储半导体 IP 企业 NEO Semiconductor 美国加州当地时间 23 日宣布其 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造，证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。NEO Semiconductor 的 X-DRAM 验证芯片实现了 10¹⁴ 循环耐久，读写延迟＜10ns，85℃ 下数据保持

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发布时间：02:47:26